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我国印刷金属网格透明导电膜获新进展|j9九游会首页登录


本文摘要:近日,中科院苏州纳米所印刷电子中心苏文明研究团队基于混合式印刷增材生产技术,优化压印模具结构参数,构建了2∶1深宽比和4m线宽的凹槽结构,再行融合风吹堆薄层纳米银油墨的种子层,用电筹沉铜技术在凹槽中填充颗粒的铜。

近日,中科院苏州纳米所印刷电子中心苏文明研究团队基于混合式印刷增材生产技术,优化压印模具结构参数,构建了2∶1深宽比和4m线宽的凹槽结构,再行融合风吹堆薄层纳米银油墨的种子层,用电筹沉铜技术在凹槽中填充颗粒的铜。由于电沉积过程金属铜几乎容许在凹槽中不能单向生长,防止了扩线,从而取得高深宽比的铜网格,因而在不影响光利用亲率的情况下减少了金属网格的厚度,同时电镀的网格具备铜本征的高电导率,最后在86%的高透光率下,方块电阻较低至0.03/,FOM值多达80000(FOM是半透明导电膜的综合质量因素,指光利用与方阻的比值,如ITO的FOM300)。

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半透明导电膜在低透明下同时具备导电性,是光电领域中不可或缺的最重要工业基础材料。随着光电子器件渐渐向大尺寸、轻巧、柔性、低成本方向发展,对高性能的柔性及可剪切半透明导电膜的市场需求快速增长很快。当前普遍用于的半透明导电材料主要为ITO膜或玻璃,但因方压较高、脆性结构限制了其在柔性光电器件上的用于;而新的发展的基于导电聚合物、碳材料和金属纳米材料的柔性半透明导电膜,普遍存在导电性和利用亲率互相制约的问题,在85%以上的利用亲率下方压一般来说在数十欧每方块以上。基于铜箔黄光制程转印的金属网格半透明导电膜具备高导高透的优点受到了行业普遍注目,但工艺简单,酸转印工艺与铜离子导致的污染及其低成本也不容忽视。

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中科院苏州纳米所崔铮研究员领导的印刷电子研究团队自律研发了印刷增材生产的嵌入式银网格半透明导电膜,利用亲率和导电性可以独立国家调节,在85%以上利用亲率下方压高于10/,已顺利应用于在触摸屏上并构建了产业化,曾荣获2014年中国专利金奖。为更进一步推展印刷金属网格半透明导电膜在半透明导磁屏蔽、电加热膜、半透明5G天线等更加甚广领域的应用于,如何更进一步在低利用率下大幅提高导电膜的导电性能沦为团队的最重要研究目标。


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